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900~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）DC~10MHz （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>

800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑1.0mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>

800~1700nm 雪崩式光電探測器（APD）直徑 0.05mm （砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>

900~1700nm雪崩式光電探測器（APD） DC~50MHz（砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb） 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設(shè)計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償?shù)陌姹尽?/p>

InAsSb 紅外光伏探測器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39 產(chǎn)品總覽 PVA系列是基于InAs1-xSbx合金的非冷卻紅外光伏探測器。該設(shè)備具有高達300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求